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氮化镓(GaN)HVPE单晶生长设备 立式
氮化镓(GaN)HVPE单晶生长设备 立式的图片
参考报价:
面议
品牌:
山东力冠
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272
样本:
暂无
型号:
氮化镓(GaN)HVPE单晶生长设备 立式
产地:
山东
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暂无
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认 证:工商信息已核实
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产品简介

产品特点/Product Characteristics:

♦ 基础工艺包

Basic process package

1.氮化镓(GaN)单晶生长尺寸: 2英寸

Gallium nitride (GaN) single crystal growth size: 2 inches

2.单晶生长速率:≥50微米/小时

Single crystal growth rate:≥50 microns/hour

3.蓝宝石衬底外延生长氮化镓(GaN)单晶层厚度: < 200微米


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